Samsung comenzará LPDDR5 RAM y almacenamiento UFS 3.0 Producción en masa este año

Si eres fanático de Samsung, es posible que quieras saltarte este año buques insignia Parece que los próximos años los buques insignia estarán empacando algunos Gran potencia y velocidad, comenzando con el Galaxy S10.

Samsung UFS

Según @UniverseIce, Samsung comenzará la producción en masa de LPDDR5 RAM y UFS 3.0 NAND en la segunda mitad de este año. Estas dos componentes pueden aparecer por primera vez en el Galaxy S10.

Samsung producirá en serie chips LPDDR5 y UFS3.0 en el segundo la mitad del año, y espero con ansias el Galaxy S10.

– Ice universe (@UniverseIce) 14 de junio de 2018

Se dice que UFS 3.0 tiene el doble de ancho de banda que UFS 2.1 con velocidades de hasta 23.2 Gbps (carril simple = 11.6 Gbps). También consume menos potencia y tiene un rango de temperatura extendido para usar en industrias automotrices. Para LPDDR5, deberíamos esperar un aumento del 10% en rendimiento y un aumento del 15% en eficiencia energética.

Se rumorea que hay otras características que vienen con el Galaxy S10, la clave entre ellos es un escáner de huellas digitales en pantalla y tecnología de escaneo facial 3D. Su próximo chipset, el Exynos También se espera que 9820 ofrezca una potencia de procesamiento impresionante superará significativamente el chipset Qualcomms Snapdragon 855.

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