El prototipo Snapdragon 875 con velocidad de 2,84 GHz obtiene 899,401 puntos en el punto de referencia Master Lu

El destacado informante chino Digital Chat Station ha compartido otro resultado de referencia supuestamente para un prototipo de teléfono inteligente impulsado por el chipset Snapdragon 875 de próxima generación de Qualcomm. La captura de pantalla compartida reafirma que el conjunto de chips llevará el nombre en clave Lahaina, un lugar pintoresco en la costa oeste de Hawái. Qualcomm había anunciado previamente que celebrará una conferencia de chips Snapdragon en Hawái en diciembre. El prototipo Snapdragon 875 con velocidad de 2,84 GHz obtiene 899,401 puntos en el punto de referencia Master Lu

El prototipo Snapdragon 875 con velocidad de 2,84 GHz obtiene 899,401 puntos en el punto de referencia Master Lu El prototipo Snapdragon 875 con velocidad de 2,84 GHz obtiene 899,401 puntos en el punto de referencia Master Lu

Para la prueba de memoria, el dispositivo registró una puntuación total de 98,772 puntos, mientras que la prueba de almacenamiento muestra que el dispositivo con tecnología Snapdragon 875 registra una puntuación de 125,135 puntos.

Dado que se trata de un prototipo, el rendimiento del producto final puede ser ligeramente inferior, pero comparativamente, el rendimiento es inferior al de otros conjuntos de chips, incluidos Snapdragon 865 y Kirin 9000.

Los rumores anteriores apuntaban al Mi 11 como el primer teléfono inteligente en utilizar el chip insignia Qualcomm Snapdragon 875 en China. Es probable que la serie Galaxy S21 sea la primera en lanzarse con un dispositivo con tecnología Snapdragon 875. Se espera que el chip se fabrique en un proceso de 5 nm y se dice que adoptará un diseño “1 + 3 + 4” octa-core. El “1” es el Cortex X1 de núcleo supergrande con su rendimiento máximo un 23% más alto que el del Cortex A78.

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